Bulk quantum Hall effect in η-Mo4O11

S. Hill, J. S. Brooks, S. Uji, M. Takashita, C. Terakura, T. Terashima, H. Aoki, Z. Fisk, J. Sarrao

研究成果: Conference article査読

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抄録

We have observed a quantum Hall effect in the bulk quasi-two-dimensional conductor η-Mo4O11. The Hall resistance exhibits well defined plateaux, coincident with pronounced minima in the diagonal resistance. We present data for several different samples and contact geometries, and discuss a possible mechanism for the quantum Hall effect in this system. We also discuss the implications of these findings in the light of recent predictions concerning chiral metallic surface states in bulk quantum Hall systems.

本文言語English
ページ(範囲)2667-2670
ページ数4
ジャーナルSynthetic Metals
103
1-3
DOI
出版ステータスPublished - 1999 6 24
イベントProceedings of the 1998 International Conference on Science and Technology of Synthetic Metals (ICSM-98) - Montpellier
継続期間: 1998 7 121998 7 18

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 材料力学
  • 機械工学
  • 金属および合金
  • 材料化学

フィンガープリント

「Bulk quantum Hall effect in η-Mo<sub>4</sub>O<sub>11</sub>」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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