Ballistic transport in InSb mesoscopic structures

N. Goel, J. Graham, J. C. Keay, K. Suzuki, S. Miyashita, M. B. Santos, Y. Hirayama

研究成果: Conference article査読

26 被引用数 (Scopus)

抄録

Two different device geometries are fabricated to investigate ballistic transport of electrons in low-dimensional InSb structures. Negative bend resistance is observed in four-terminal devices of channel widths ranging from 0.2 to 0.65 μm. We also report the observation of conductance quantization in quantum point contacts fabricated using in-plane gates. The one-dimensional subbands depopulate with increasing transverse magnetic field up to 3 T. Zeeman splitting is resolved at magnetic fields above ∼0.9 T.

本文言語English
ページ(範囲)455-459
ページ数5
ジャーナルPhysica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
26
1-4
DOI
出版ステータスPublished - 2005 2月
外部発表はい
イベントInternational Conference on Quantum Dots - Banff, Alberta, Canada
継続期間: 2004 5月 102004 5月 13

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学
  • 凝縮系物理学

フィンガープリント

「Ballistic transport in InSb mesoscopic structures」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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