Atomic-scale depth profiling of composition, chemical structure and electronic band structure of La 2 O 3 /Si(1 0 0) interfacial transition layer

H. Nohira, T. Shiraishi, K. Takahashi, T. Hattori, I. Kashiwagi, C. Ohshima, S. Ohmi, H. Iwai, S. Joumori, K. Nakajima, M. Suzuki, K. Kimura

    研究成果: Conference article査読

    25 被引用数 (Scopus)

    抄録

    The composition and chemical structures of lanthanum oxide films were determined by combining angle-resolved photoelectron spectroscopy and high resolution Rutherford backscattering studies. Conduction and valence band discontinuity at La 2 O 3 /Si(100) interface was also determined by measuring the O 1s photoelectron energy loss and valence band spectra.

    本文言語English
    ページ(範囲)493-496
    ページ数4
    ジャーナルApplied Surface Science
    234
    1-4
    DOI
    出版ステータスPublished - 2004 7 15
    イベントThe Ninth International Conference on the Formation of Semicon - Madrid, Spain
    継続期間: 2003 9 152003 9 19

    ASJC Scopus subject areas

    • 化学 (全般)
    • 凝縮系物理学
    • 物理学および天文学(全般)
    • 表面および界面
    • 表面、皮膜および薄膜

    フィンガープリント

    「Atomic-scale depth profiling of composition, chemical structure and electronic band structure of La <sub>2</sub> O <sub>3</sub> /Si(1 0 0) interfacial transition layer」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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