Atomic Diffusion Bonding of Wafers using Thin Nb Films

M. Uomoto, T. Shimatsu

研究成果: Conference contribution

1 被引用数 (Scopus)

抄録

This study examined atomic diffusion bonding of Si wafers in vacuum using Thin Nb films. Wafers were bonded with no vacancies at the bonded Nb/Nb interface. Surface free energy at the bonded interface was greater than 1.5 J/m, as determined by the adhesion strength of Nb films on wafers.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルProceedings of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2019
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ページ数1
ISBN(電子版)9784904743072
DOI
出版ステータスPublished - 2019 5
イベント6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2019 - Kanazawa, Ishikawa, Japan
継続期間: 2019 5 212019 5 25

出版物シリーズ

名前Proceedings of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2019

Conference

Conference6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2019
国/地域Japan
CityKanazawa, Ishikawa
Period19/5/2119/5/25

ASJC Scopus subject areas

  • プロセス化学およびプロセス工学
  • 電子工学および電気工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料

フィンガープリント

「Atomic Diffusion Bonding of Wafers using Thin Nb Films」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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