Asymmetrical quantum dot growth on tensile and compressive-strained ZnO nanowire surfaces

L. H. Wang, X. D. Han, Y. F. Zhang, K. Zheng, P. Liu, Z. Zhang

    研究成果: Article査読

    14 被引用数 (Scopus)

    抄録

    ZnO nanowire was bent in a high-resolution transmission electron microscope (HRTEM). The growth process of tensile and compressive stress-induced asymmetrical ZnO quantum dots (QDs) on bent ZnO nanowire (NW) surface was observed in situ at the atomic scale. The positionally resolved atomic-level strain distribution along the radial directions was mapped directly from the atomic-level strained HRTEM images of the bent ZnO NW. The size, growth rate and density of the QDs can be significantly affected by the strain type and magnitude. These results are helpful in controlling the fabrication of ZnO QDs.

    本文言語English
    ページ(範囲)651-657
    ページ数7
    ジャーナルActa Materialia
    59
    2
    DOI
    出版ステータスPublished - 2011 1月

    ASJC Scopus subject areas

    • 電子材料、光学材料、および磁性材料
    • セラミックおよび複合材料
    • ポリマーおよびプラスチック
    • 金属および合金

    フィンガープリント

    「Asymmetrical quantum dot growth on tensile and compressive-strained ZnO nanowire surfaces」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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