Anodic oxide gate a-Si:H MOSFET

H. Yamamoto, T. Sawada, S. Arimoto, H. Hasegawa, H. Ohno

研究成果: Article査読

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抄録

The first a-Si:H MOSFET having native oxide at the insulator/a-Si: H interface is reported. Anodic oxidation in the AGW electrolyte is applied to Al/a-Si:H structures to form Al2O3 native oxide/a-Si:H gate structures. Resulting FETs show typical effective mobilities of 0.02 cm2/Vs after proper low-temperature annealing in H2. Anodic oxidation is thus proved to be applicable to a-Si: H device technology as a low-temperature oxidation process.

本文言語English
ページ(範囲)607-608
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
19
16
DOI
出版ステータスPublished - 1983 8月 4
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Anodic oxide gate a-Si:H MOSFET」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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