Analysis of high resistivity semiconductor specimens in an energy-compensated time-of-flight atom probe

A. J. Melmed, M. Martinka, S. M. Girvin, T. Sakurai, Y. Kuk

    研究成果: Article査読

    24 被引用数 (Scopus)

    抄録

    It is shown that high resistivity semiconductor specimens (at least up to 8.6×103, and probably up to 2.4×104 Ω cm) can be analyzed in a conventional energy-compensated time-of-flight atom probe by using pulses of longer than usual duration and that the necessary pulse width increases with specimen resistance.

    本文言語English
    ページ(範囲)416-417
    ページ数2
    ジャーナルApplied Physics Letters
    39
    5
    DOI
    出版ステータスPublished - 1981

    ASJC Scopus subject areas

    • 物理学および天文学(その他)

    フィンガープリント

    「Analysis of high resistivity semiconductor specimens in an energy-compensated time-of-flight atom probe」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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