AMORPHOUS SILICON MOSFETs BY ANODIC OXIDATION.

Hidekazu Yamamoto, Satoshi Arimoto, Hideo Ohno, Hideki Hasegawa

研究成果: Conference contribution

抄録

The anodic oxidation in AGW electrolyte is applied to Al/a-Si:H structures to form Al//2O//3/native oxide/a-Si:H gate structure. Interface properties of this MOS structure as well as fabrication of a-Si:H MOSFETs are investigated. Resulting FETs show maximum effective mobility of 0. 2 cm**2/vs after proper low temperature annealing in H//2. The feasibility of a planar a-Si integrated circuit is demonstrated by fabricating integrated image sensors.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルConference on Solid State Devices and Materials
出版社Business Cent for Academic Soc Japan
ページ547-550
ページ数4
ISBN(印刷版)4930813077, 9784930813077
DOI
出版ステータスPublished - 1984
外部発表はい

出版物シリーズ

名前Conference on Solid State Devices and Materials

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  • 工学(全般)

フィンガープリント

「AMORPHOUS SILICON MOSFETs BY ANODIC OXIDATION.」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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