Al concentration dependence of crystal structure for Ca3Ta(Ga,Al)3Si2O14 piezoelectric single crystals

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抄録

Al concentration dependence of the crystal structure on Ca3Ta(Ga1-xAlx)Si2O14 (CTGAS) piezoelectric single crystals were investigated by X-ray crystal structure analysis. O(2)-Si-O(2) and Si-O(2)-(Ga,Al) bond angles systematically increased with increasing Al concentration, and the result suggests that the increase of structural anisotropy by the Al substitution is attributable to the planarization of the O(2)-Si-O(2)-(Ga,Al). In addition, (Ga,Al)-O(2), (Ga,Al)-O(3) and Ca-O(1) bond lengths systematically decreased with increasing the Al substitution. The cation shift of the Si and (Ga,Al) ions out of center from the barycenter of the oxygen coordination environment decreased with increasing Al concentration.

本文言語English
ページ(範囲)195-200
ページ数6
ジャーナルJournal of Solid State Chemistry
277
DOI
出版ステータスPublished - 2019 9

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • セラミックおよび複合材料
  • 凝縮系物理学
  • 物理化学および理論化学
  • 無機化学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Al concentration dependence of crystal structure for Ca<sub>3</sub>Ta(Ga,Al)<sub>3</sub>Si<sub>2</sub>O<sub>14</sub> piezoelectric single crystals」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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