A very wide spectrum superluminescent diode at 1.3 μm

Osamu Mikami, Yoshio Noguchi, Hiroshi Yasaka

研究成果: Conference contribution

抄録

An approach that broadens the emission spectral width of superluminescent diodes (SLDs) is proposed. The fabrication of 1.3-μm InGaAsP/InP SLDs incorporating a structure of tandem active layers is described. For this device, the spectral width is broadened over 100 nm, achieving a short coherence length of 9.2 μm, one-fourth that of conventional 1.3-μm SLDs.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルThird Int Conf Indium Phosphide Relat Mater
出版社Publ by IEEE
ページ212-215
ページ数4
ISBN(印刷版)0879426268
出版ステータスPublished - 1991 12月 1
外部発表はい
イベントThird International Conference on Indium Phosphide and Related Materials - Cardiff, Wales
継続期間: 1991 4月 81991 4月 11

出版物シリーズ

名前Third Int Conf Indium Phosphide Relat Mater

Other

OtherThird International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
CityCardiff, Wales
Period91/4/891/4/11

ASJC Scopus subject areas

  • 工学(全般)

フィンガープリント

「A very wide spectrum superluminescent diode at 1.3 μm」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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