A study of multiple-valued magnetoresistive RAM (MRAM) using binary MTJ devices

Hiromitsu Kimura, Kostas Pagiamtzis, Ali Sheikholeslami, Takahiro Hanyu

研究成果: Conference article査読

3 被引用数 (Scopus)

抄録

This paper presents four-valued magnetoresistive RAM (MRAM) storage cells using one access transistor and two binary magnetic tunnel junction (MTJ) devices with the MTJ devices either in series or in parallel. We present a comparative study of the two cells in terms of their area and power benefits over the binary MRAM, all using the same conventional MRAM process.

本文言語English
ページ(範囲)340-345
ページ数6
ジャーナルProceedings of The International Symposium on Multiple-Valued Logic
出版ステータスPublished - 2004 7 26
イベントProceedings - 34th International Symposium on Multiple-Values Logic, ISMVL 2004 - Toronto, Ont, Canada
継続期間: 2004 5 192004 5 22

ASJC Scopus subject areas

  • ハードウェアとアーキテクチャ
  • 論理
  • 安全性、リスク、信頼性、品質管理
  • 化学的な安全衛生

フィンガープリント

「A study of multiple-valued magnetoresistive RAM (MRAM) using binary MTJ devices」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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