A novel SPRAM (SPin-transfer torque RAM)-based reconfigurable logic block for 3D-stacked reconfigurable spin processor

M. Sekikawa, K. Kiyoyama, H. Hasegawa, K. Miura, T. Fukushima, S. Ikeda, T. Tanaka, H. Ohno, M. Koyanagi

研究成果: Conference contribution

11 被引用数 (Scopus)

抄録

A novel reconfigurable logic block with SPRAM (SPin-transfer torque RAM) is demonstrated. Magnetic elements of 50 × 200 nm 2 in area and CMOS logic are fully integrated. Laboratory experimental results show that our reconfigurable logic block achieves 25 MHz read out operation with the magnetic resistance of 1.62 kω (parallel) and the MR ratio is 91.7 %.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2008 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2008
DOI
出版ステータスPublished - 2008 12 1
イベント2008 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2008 - San Francisco, CA, United States
継続期間: 2008 12 152008 12 17

出版物シリーズ

名前Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
ISSN(印刷版)0163-1918

Other

Other2008 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2008
国/地域United States
CitySan Francisco, CA
Period08/12/1508/12/17

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

フィンガープリント

「A novel SPRAM (SPin-transfer torque RAM)-based reconfigurable logic block for 3D-stacked reconfigurable spin processor」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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