A novel delayed flip-flop circuit using resonant tunneling logic gates

Koichi Maezawa, Hideaki Matsuzaki, Tomoyuki Akeyoshi, Jiro Osaka, Masafumi Yamamoto, Taiichi Otsuji

研究成果: Article査読

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抄録

A novel delayed flip-flop circuit using monostable-bistable transition logic elements (MOBILEs) was proposed, and was fabricated using resonant-tunneling-diode/high-electron-mobility-transistor integration technology on an InP substrate. Error free operations at up to 12.5 Gb/s were demonstrated at room temperature.

本文言語English
ページ(範囲)L212-L213
ジャーナルJapanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters
37
2 SUPPL. B
DOI
出版ステータスPublished - 1998 2月 15
外部発表はい

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「A novel delayed flip-flop circuit using resonant tunneling logic gates」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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