A 512kb cross-point cell MRAM

Noboru Sakimura, Tadahiko Sugibayashi, Takeshi Honda, Sadahiko Miura, Hideaki Numata, Hiromitsu Hada, Shuichi Tahara

研究成果: Conference article査読

22 被引用数 (Scopus)

抄録

A 512kb MRAM comprising cross-point cells, magnetic tunnel junctions, bit lines and word lines is designed using a 0.25μm CMOS and a 0.6μm MRAM process. The design provides a new sensing method without a large area overhead despite a low current cross-point signal. The MRAM operates with read access time of 1.0μs at 2.5V.

本文言語English
ページ(範囲)277-279
ページ数3
ジャーナルDigest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference
出版ステータスPublished - 2003 7月 23
外部発表はい
イベント2003 Digest of Technical Papers - , United States
継続期間: 2003 2月 92003 2月 13

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「A 512kb cross-point cell MRAM」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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