A 10V complementary SiGe BiCMOS foundry process for high-speed and high-voltage analog applications

T. Tominari, M. Miura, H. Shimamoto, M. Arai, Y. Yoshida, H. Sato, T. Aoki, H. Nonami, S. Wada, H. Hosoe, K. Washio, T. Hashimoto

研究成果: Conference contribution

5 被引用数 (Scopus)

抄録

A manufacturable 10V-BVce/15GHz -fT complementary SiGe BiCMOS foundry process was developed for high performance multi media applications. A novel Si Ge profile with a forward/backward stepped Ge profile and controllable emitter interface layer improved the SiGe PNP's FOM to 620GHz·V.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルProceedings of the 2007 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
ページ38-41
ページ数4
DOI
出版ステータスPublished - 2007
外部発表はい
イベント2007 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM - Boston, MA, United States
継続期間: 2007 9 302007 10 2

出版物シリーズ

名前Proceedings of the IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
ISSN(印刷版)1088-9299

Other

Other2007 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM
国/地域United States
CityBoston, MA
Period07/9/3007/10/2

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「A 10V complementary SiGe BiCMOS foundry process for high-speed and high-voltage analog applications」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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