82GHz dynamic frequency divider in 5.5ps ECL SiGe HBTs

K. Washio, E. Ohue, K. Oda, R. Hayami, M. Tanabe, H. Shimamoto, T. Harada, M. Kondo

研究成果: Conference article査読

36 被引用数 (Scopus)

抄録

A dynamic frequency divider with 82.4GHz maximum operating frequency and a static frequency divider with an operating frequency of 60 GHz was reported for use in future millimeter-wave systems. Fabricated using self-aligned, selective epitaxial growth (SEG) SiGe heterojunction transistors (HBT), they provide a cut off frequency of 122 GHz, a maximum operating frequency of 163 GHz, and 5.5ps emitter coupled logic (ECL) gate delay. The transistor characteristics, schematic diagrams and frequency and current characteristics of the devices were described.

本文言語English
ページ(範囲)210-211
ページ数2
ジャーナルDigest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference
出版ステータスPublished - 2000
外部発表はい
イベント2000 IEEE International Solid-State Circuits Conference 47th Annual ISSCC - San Francisco, CA, United States
継続期間: 2000 2月 72000 2月 9

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「82GHz dynamic frequency divider in 5.5ps ECL SiGe HBTs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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