2. 5 KV-2000 A MONOLITHIC REVERSE CONDUCTING GATE TURN-OFF THYRISTOR.

Osamu Hashimoto, Yoshikazu Takahashi, Masahide Watanabe, Osamu Yamada, Tatsuhiko Fujihira

研究成果: Conference article査読

抄録

A 2. 5-kV-2000-A monolithic reverse conducting gate turn-off thyristor (RC-GTO) has been developed by use of a precise lifetime control technique, a precise gate-etching control technique, and an electrical separation technique between the GTO part and the diode part. A high separation resistance of 100-150 ohms is attained by applying a double diffused profile. An investigation, by use of computer simulation and an image converter camera, has supported the development of the 2. 5-kV-2000-A RC-GTO.

本文言語English
ページ(範囲)388-392
ページ数5
ジャーナルConference Record - IAS Annual Meeting (IEEE Industry Applications Society)
出版ステータスPublished - 1986
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 制御およびシステム工学
  • 産業および生産工学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「2. 5 KV-2000 A MONOLITHIC REVERSE CONDUCTING GATE TURN-OFF THYRISTOR.」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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