1.9 GHz single-chip RF front-end GaAs MMIC with low-distortion cascode FET mixer for personal handy-phone system terminals

Masatoshi Nakayama, Ken ichi Horiguchi, Kazuya Yamamoto, Yutaka Yoshii, Shigeru Sugiyama, Norihiro Suematsu, Tadashi Takagi

研究成果: Conference article査読

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抄録

This paper describes new single-chip RF front-end GaAs MMIC for 1.9 GHz Japanese PHS handheld terminals. The IC consists of a high power amplifier, a T/R switch, a low noise amplifier, a newly developed low distortion cascode FET mixer and a negative voltage generator for FET gate bias voltage. The IC has high performance as RF front-end of terminals.

本文言語English
ページ(範囲)171-174
ページ数4
ジャーナルIEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
1
出版ステータスPublished - 1998 1月 1
外部発表はい
イベントProceedings of the 1998 IEEE MTT-S International Microwave Symposium. Part 1 (of 3) - Baltimore, MD, USA
継続期間: 1998 6月 71998 6月 12

ASJC Scopus subject areas

  • 放射線
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「1.9 GHz single-chip RF front-end GaAs MMIC with low-distortion cascode FET mixer for personal handy-phone system terminals」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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