1.5 µm region InP/GaInAsP buried heterostructure lasers on semi-insulating substrates

T. Matsuoka, K. Takahei, Y. Noguchi, H. Nagai

研究成果: Article査読

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抄録

InP/GalnAsP buried heterostructure (BH) lasers for the 1.5 µm region have been fabricated on semi-insulating InP substrates. The threshold current of the lasers is as low as 38 mA under CW operation at 25°C, which is nearly the same as for BH lasers fabricated on n-type InP substrates.

本文言語English
ページ(範囲)12-14
ページ数3
ジャーナルElectronics Letters
17
1
DOI
出版ステータスPublished - 1981 1 8
外部発表はい

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  • Electrical and Electronic Engineering

フィンガープリント 「1.5 µm region InP/GaInAsP buried heterostructure lasers on semi-insulating substrates」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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