(100) and (111) Si MOS transistors fabricated with low growth temperature (400°C) gate oxide by Kr/O2 microwave-excited high-density plasma

Tatsufumi Hamada, Yuji Saito, Masaki Hirayama, Sigetoshi Sugawa, Herzl Aharoni, Tadahiro Ohmi

研究成果: Letter査読

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抄録

A drastic reduction in the growth temperature (400°C) of highly reliable SiO2 gate oxides grown by a Kr/O2 microwave-excited high-density plasma technique is shown to yield MOS I-V characteristics comparable to those obtained in transistors with conventionally grown dry gate oxides at 900°C. The benefits of this technique are summarized.

本文言語English
ページ(範囲)418-420
ページ数3
ジャーナルIEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
14
4
DOI
出版ステータスPublished - 2001 11

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 産業および生産工学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「(100) and (111) Si MOS transistors fabricated with low growth temperature (400°C) gate oxide by Kr/O<sub>2</sub> microwave-excited high-density plasma」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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