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研究成果
専門知識、名前、または所属機関で検索
Scopus著者プロファイル
品田 賢宏
教授
国際集積エレクトロニクス研究開発センター
h-index
1111
被引用数
17
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1997
2022
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(70)
類似のプロファイル
(6)
Pureに変更を加えた場合、すぐここに表示されます。
フィンガープリント
Takahiro Shinadaが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Physics
Arrays
55%
Arsenic
7%
Atoms
59%
Color Centers
5%
Controllability
7%
Crystals
7%
Defects
12%
Detection
19%
Diamonds
8%
Distance
7%
Electric Potential
12%
Electrical Properties
7%
Emission
19%
Erbium
11%
Etching
7%
Fabrication
11%
Heavy Ion
7%
Implantation
16%
Impurities
12%
Ion
55%
Ion Beams
35%
Ion Implantation
82%
Nanofabrication
7%
Nitrogen
10%
Particle
6%
Performance
11%
Photoelectric Emission
7%
Photoluminescence
11%
Photons
22%
Quantum Communication
7%
Quantum Information
7%
Regimes
27%
Region
20%
Revisions
10%
Room Temperature
24%
Semiconductor
28%
Semiconductor Device
11%
Sides
8%
Silicon
48%
Silicon Transistor
16%
Substrates
7%
Targets
8%
Technology
21%
Temperature
7%
Threshold Voltage
5%
Tungsten
7%
Utilization
11%
Value
14%
Variations
21%
Water
5%
Chemistry
Adsorption
7%
Ambient Reaction Temperature
21%
Application
13%
Atom
64%
Color Center
9%
Crystalline Material
5%
Device
33%
Diamond
15%
Donor
10%
Doping
28%
Doping Material
100%
Electron Particle
22%
Electrostatic Potential
5%
Engineering Process
25%
Fluctuation
13%
Germanium
7%
Implanted Ion
8%
Ion
18%
Ion Beam
6%
Ion Implantation
40%
Modification
5%
Number
26%
Photocurrent
7%
Photoluminescence
8%
Photon
21%
Photon Emission
9%
Procedure
40%
Quantum Key Distribution
7%
Quantum Transport
18%
Reaction Temperature
7%
Semiconductor
17%
Silicon
14%
Single Walled Nanotube
5%
Transconductance
5%
Tungsten
7%
Wavelength
5%
Engineering
Beam Irradiation
11%
Characteristics
6%
Conductance
7%
Defects
7%
Design
5%
Development
6%
Device Performance
6%
Dopants
58%
Electric Potential
8%
Etch Rate
8%
Fabrication
11%
Focused Ion Beam
10%
High Density
5%
Implantation
9%
Logic Gate
7%
Nano-Fabrication
7%
Networks (Circuits)
10%
Oxide Layer
5%
Performance
7%
Photocurrent
7%
Photons
9%
Room Temperature
8%
Si Substrate
13%
Si Surface
14%
Sio2 Layer
11%
Small Number
5%
Titanium Dioxide
5%
Transistor
18%
Two Dimensional
7%
Water
5%
Wavelength
5%
Yields
8%