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研究成果
専門知識、名前、または所属機関で検索
Scopus著者プロファイル
品田 賢宏
教授
国際集積エレクトロニクス研究開発センター
h-index
1107
被引用数
17
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1997
2022
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(70)
類似のプロファイル
(10)
Pureに変更を加えた場合、すぐここに表示されます。
フィンガープリント
Takahiro Shinadaが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Chemistry
Doping Material
100%
Ion Implantation
57%
Atom
53%
Procedure
53%
Number
36%
Doping
30%
Ion
28%
Ambient Reaction Temperature
22%
Engineering Process
22%
Semiconductor
20%
Photon
19%
Device
19%
Diamond
18%
Fluctuation
15%
Quantum Transport
14%
Ion Beam
12%
Application
12%
Photoluminescence
9%
Hydrazine
9%
Quantum Device
9%
Impurity
8%
Wavelength
8%
Donor
8%
Photocurrent
8%
Electron Particle
8%
Color Center
7%
Quantum Information
7%
Dose
7%
Modification
6%
Rate
6%
Electrical Property
6%
Implanted Ion
6%
Photon Emission
6%
Nitrogen
6%
Conductance
5%
Voltage
5%
Drain Current
5%
Energy
5%
Etching
5%
Physics
Ion Implantation
60%
Arrays
46%
Silicon
46%
Atoms
44%
Room Temperature
22%
Semiconductor
21%
Photons
19%
Diamonds
18%
Variations
16%
Regimes
16%
Erbium
15%
Silicon Transistor
14%
Technology
13%
Region
13%
Utilization
12%
Detection
12%
Emission
11%
Implantation
11%
Semiconductor Device
11%
Fabrication
11%
Defects
10%
Photoluminescence
9%
Impurities
8%
Electrons
8%
Photoelectric Emission
8%
Statistical Distribution
7%
Etching
7%
Color Centers
7%
Position (Location)
6%
Performance
6%
Revisions
6%
Electrical Properties
6%
Sides
6%
Controllability
6%
Nitrogen
6%
Circuits
6%
Threshold Voltage
5%
Electric Potential
5%
Heavy Ion
5%
Arsenic
5%
Engineering
Dopants
79%
Room Temperature
19%
Transistor
18%
Semiconductor Material
18%
Photons
15%
Fabrication
13%
Silicon Ion
12%
Implantation
11%
Focused Ion Beam
10%
Processing
9%
Applications
8%
Wavelength
8%
Photocurrent
8%
Device Performance
8%
Defects
7%
Development
6%
Si Substrate
6%
Nanometre
6%
Si Surface
6%
Low Concentration
6%
Detection
6%
Properties
6%
Networks (Circuits)
6%
Conductance
5%
Performance
5%
Single Electron
5%
Fields
5%
Beam Irradiation
5%
Electric Potential
5%
Efficiency
5%
Sio2 Layer
5%