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1993 …2020

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研究成果

Analysis of charge-to-hot-carrier degradation in Ge pFinFETs

Mizubayashi, W., Oka, H., Fukuda, K., Ishikawa, Y. & Endo, K., 2020 4, 2020 IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2020 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 9129279. (IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings; 巻数 2020-April).

研究成果: Conference contribution

  • High-quality nanodisk of InGaN/GaN MQWs fabricated by neutral-beam-etching and GaN regrowth: Towards directional micro-LED in top-down structure

    Zhang, K., Takahashi, T., Ohori, D., Cong, G., Endo, K., Kumagai, N., Samukawa, S., Shimizu, M. & Wang, X., 2020 7, : : Semiconductor Science and Technology. 35, 7, 075001.

    研究成果: Article

  • Performance improvement of Ge fin field-effect transistors by post-fin-fabrication annealing

    Mizubayashi, W., Oka, H., Mori, T., Ishikawa, Y., Samukawa, S. & Endo, K., 2020, : : Japanese journal of applied physics. 59, SI, SIIE05.

    研究成果: Article

  • Atomic layer defect-free etching for germanium using HBr neutral beam

    Fujii, T., Ohori, D., Noda, S., Tanimoto, Y., Sato, D., Kurihara, H., Mizubayashi, W., Endo, K., Li, Y., Lee, Y. J., Ozaki, T. & Samukawa, S., 2019 9 1, : : Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. 37, 5, 051001.

    研究成果: Article